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path: root/buch/papers
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authorAndreas Müller <andreas.mueller@othello.ch>2022-08-16 10:25:25 +0200
committerAndreas Müller <andreas.mueller@othello.ch>2022-08-16 10:25:25 +0200
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tree6ded7b1c9b79fe57eaf568b53553eae8257a9018 /buch/papers
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fix a typo
Diffstat (limited to '')
-rw-r--r--buch/papers/kreismembran/teil4.tex2
1 files changed, 1 insertions, 1 deletions
diff --git a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
index 0b6299e..d6aa54f 100644
--- a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
+++ b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
@@ -93,7 +93,7 @@ Der Folgezustand kann also mit den Gleichungen
\label{kreismembran:eq:folge_V}
V[w+1] &= (V[w] + dt \cdot \Delta_h u \cdot c^2)\odot M
\end{align}
-berechnet werden. Das Symbol $\cdot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt)
+berechnet werden. Das Symbol $\odot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt)
\subsubsection{Simulation}
Mit den gegebenen Gleichungen \eqref{kreismembran:eq:folge_U} und \eqref{kreismembran:eq:folge_V} das Verhalten der Membran mit einem Loop über das zu untersuchende Zeitintervall berechnet werden.
In der Abbildung \ref{kreismembran:im:simres_rund} sind Simulationsresultate zu sehen.