From e3b55b863915e45287bebe8bff6027c468359fe6 Mon Sep 17 00:00:00 2001
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Date: Tue, 16 Aug 2022 10:25:25 +0200
Subject: fix a typo

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 buch/papers/kreismembran/teil4.tex | 2 +-
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diff --git a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
index 0b6299e..d6aa54f 100644
--- a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
+++ b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex
@@ -93,7 +93,7 @@ Der Folgezustand kann also mit den Gleichungen
 	\label{kreismembran:eq:folge_V}
 	V[w+1] &= (V[w] + dt \cdot \Delta_h u \cdot c^2)\odot M
 \end{align}
-berechnet werden. Das Symbol $\cdot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt)
+berechnet werden. Das Symbol $\odot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt)
 \subsubsection{Simulation}
 Mit den gegebenen Gleichungen \eqref{kreismembran:eq:folge_U} und \eqref{kreismembran:eq:folge_V} das Verhalten der Membran mit einem Loop über das zu untersuchende Zeitintervall berechnet werden. 
 In der Abbildung \ref{kreismembran:im:simres_rund} sind Simulationsresultate zu sehen.
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cgit v1.2.1

