From f7c87ba971593bd9083ef621f29ae8eca024d6ec Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Nao Pross Date: Wed, 1 Nov 2017 21:18:18 +0100 Subject: Corrections in Memory --- .gitignore | 3 ++ techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf | Bin 79282 -> 85113 bytes techwsw/res/memorie/rom.pdf | Bin 14914 -> 14913 bytes techwsw/res/memorie/rom.svg | 18 ++++----- techwsw/tex/memorie.tex | 70 ++++++++++++++++++++++++++++++----- techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex | 5 ++- 6 files changed, 75 insertions(+), 21 deletions(-) diff --git a/.gitignore b/.gitignore index da0fa42..6ee7499 100644 --- a/.gitignore +++ b/.gitignore @@ -3,3 +3,6 @@ !**/build/*.pdf **.swp + +**/*.sublime-project +**/*.sublime-workspace diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf index 618f1a4..1e34a33 100644 Binary files a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf and b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf differ diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.pdf b/techwsw/res/memorie/rom.pdf index 07cd818..d83593c 100644 Binary files a/techwsw/res/memorie/rom.pdf and b/techwsw/res/memorie/rom.pdf differ diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.svg b/techwsw/res/memorie/rom.svg index bd1cf89..4e4a910 100644 --- a/techwsw/res/memorie/rom.svg +++ b/techwsw/res/memorie/rom.svg @@ -25,9 +25,9 @@ borderopacity="1.0" inkscape:pageopacity="0.0" inkscape:pageshadow="2" - inkscape:zoom="16" - inkscape:cx="128.55323" - inkscape:cy="34.383611" + inkscape:zoom="22.627417" + inkscape:cx="165.78147" + inkscape:cy="0.56040208" inkscape:document-units="mm" inkscape:current-layer="layer1" showgrid="true" @@ -549,12 +549,12 @@ inkscape:connector-curvature="0" /> Connessioni {\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} } +\hline \rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\ \hline ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\ @@ -37,14 +86,15 @@ PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre. La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\ EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\ -EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile +EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi utilizzando dei segnali elettrici. -\end{tabular} -} +\end{tabular}} \end{table} -\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})} +% che diamine erano? +% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})} + \subsection{Memorie a scrittura e lettura} \subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})} @@ -79,4 +129,4 @@ circuiteria che esegue un \emph{refresh}. informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area -minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM. +minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM. \ No newline at end of file diff --git a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex index 628d7d2..9d1c92c 100644 --- a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex +++ b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex @@ -4,7 +4,8 @@ \subsection{Tipi di Bus seriali} \subsection{USART e RS232 / RS485} -\subsection{I\textsuperscript{2}C} -\subsection{USB} +\subsection{Inter-Integrated Circuit (I\textsuperscript{2}C)} +\subsection{Serial Peripheral Interface Bus (SPI)} +\subsection{Universal Serial Bus (USB)} \subsection{Trasmissione parallela (non seriale)} \ No newline at end of file -- cgit v1.2.1