From 339e0c3c6e6a413c308b4e0a6dd0df1ea4014065 Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Nao Pross <naopross@thearcway.org>
Date: Mon, 1 Jan 2018 18:42:12 +0100
Subject: Add hwsw, changed $ to \( LaTeX notation

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 techwsw/tex/memorie.tex | 69 +++++++++++++++++++++++++++++++------------------
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(limited to 'techwsw/tex/memorie.tex')

diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 375daa7..a9db737 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -1,8 +1,10 @@
-\section{Memorie}
+%!TEX root = essence_of_hwsw.tex
+
+\section{Memorie a semiconduttore}
 
 \subsection{Definizione di memoria}
 Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle
-informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo
+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD\@. In questo
 capitolo sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a
 semiconduttore}. In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da
 un livello di tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza
@@ -22,15 +24,15 @@ Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
 \subsection{Unit\`a di misura}
 In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le
 potenze di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k)
-$10^3$, mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione
-europea IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} =
-1024^2$, gibi (Gi) $2^{30} = 1024^3$ ecc.
+\(10^3\), mega (M) \(10^6\), giga (G) \(10^9\) sono stati aggiunti dalla commissione
+europea IEC i prefissi kibi (Ki) \(2^{10} = 1024^1\), mebi (Mi) \(2^{20} =
+1024^2\), gibi (Gi) \(2^{30} = 1024^3\) ecc.
 
 Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la
 commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Lo standard americano
 modifica il significato dei simboli SI quando sono combinati con l'unit\`a Byte
-(B). Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB
-= 1 GiB = $2^{30}$ ecc.
+(B). Quindi 1 KB = 1 KiB = \(2^{10}\) Bytes, 1 MB = 1 MiB = \(2^{20}\) Bytes, 1 GB
+= 1 GiB = \(2^{30}\) ecc.
 
 \begin{table}[H]
 \centering {\def\arraystretch{1.2}
@@ -38,9 +40,9 @@ modifica il significato dei simboli SI quando sono combinati con l'unit\`a Byte
 \toprule
 Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\
 \midrule
-$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
-$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
-$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
+\(2^{10} = 1024^1\) & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
+\(2^{20} = 1024^2\) & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
+\(2^{30} = 1024^3\) & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
 \bottomrule
 \end{tabular}}
 \caption{Riassunto delle unit\`a di misura}
@@ -48,21 +50,36 @@ $2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
 
 \subsection{Notazione}
 Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.
-$$ words~count \times word~size$$
-In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit
-utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.
+\[ words~count \times word~size \]
+In cui \(word~size\) indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit
+utilizzato in uscita, mentre \(words~count\) indica il numero di parole presenti.
 Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 
-indicata come memoria $2048\times 8$ bit.
+indicata come memoria \(2048\times 8\) bit.
 \`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bit
 contenuti nella memoria. Sempre lo stesso esempio di una memoria da 2 KiB 
-si indica quindi con $16384$ bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 
-corrisponde a $16 \cdot 1024 = 16384$).
+si indica quindi con \(16384\) bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 
+corrisponde a \(16 \cdot 1024 = 16384\)).
+
+\subsection{Conversione Decimale \(\leftrightarrow{}\) Esadecimale}
+Per rappresentare graficamente le regioni di indirizzabili occupare da una
+memoria si utilizza spesso dei diagrammi che rappresentano l'\emph{address
+space}. Nell'address space per\`o normalmente si indica gli indirizzi in base
+16 azich\`e 10, perci\`o \`e necessario convertire le grandezze di una memoria
+indicate in base decimale in esadecimale.
+
+Consideriamo quindi un esempio di una memoria di 4 KiB all'indirizzo {\tt
+2000h} di un address space a 16 bit. Per determinare quanto spazio
+nell'address space viene occupato si deve trovare il numero di bits e poi
+convertirlo in esadecimale.
+\[
+4~{\rm KiB} = 4 \cdot 1024 \cdot 8 ~{\rm bit} = 16384 ~{\rm bit} = 4000 {\rm h}
+\]
 
 \subsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
 La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di
-dati $Y_0\dotso Y_{m-1}$ in corrispondenza ad una serie di ingressi $A_0\dotso
-A_{n-1}$. Con $n$ bit in ingresso si possono avere fino a $2^n$ celle di
-dimensione $m$ in uscita.
+dati \(Y_0\dotso Y_{m-1}\) in corrispondenza ad una serie di ingressi \(A_0\dotso
+A_{n-1}\). Con \(n\) bit in ingresso si possono avere fino a \(2^n\) celle di
+dimensione \(m\) in uscita.
 In questo tipo di memoria come implica il nome le informazioni vengono
 conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono
 `bruciate' fisicamente nel circuito.
@@ -73,10 +90,10 @@ conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono
     \caption{Funzionamento di una ROM}
 \end{figure}
 
-Per ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende alcuni bit
-sull'uscita $Y$ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le
+Per ogni indirizzo in \(A\) corrisponde una riga che accende alcuni bit
+sull'uscita \(Y\) in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le
 linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti
-metodi, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive
+metodi, creando quindi differenti tipi di ROM\@. La seguente tabella descrive
 brevemente le caratteristiche di ognuna.
 
 \begin{table}[H]
@@ -89,11 +106,13 @@ brevemente le caratteristiche di ognuna.
 ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
 PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
     La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
-EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 
+EPROM o UVPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 
     cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
 EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & 
     Programmabile pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi
     millisecondi utilizzando dei segnali elettrici. \\
+FLASH & & Si controlla il gate di un tipo di transistor CMOS, che resta
+            bloccato nella posizione anche in assenza di alimentazione. \\
 \bottomrule
 \end{tabular}}
 \end{table}
@@ -105,7 +124,7 @@ EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM &
 In una memoria ad accesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una
 qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e
 il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo
-costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.
+costante detto \emph{tempo di accesso} \(t_a\).
 
 %% doc: 01c memorie principali.pdf
 % TODO: check
@@ -136,6 +155,6 @@ mantenere le informazioni per un tempo indeterminato affinch\`e ci sia
 l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono il consumo
 energetico (potenza dissipata) e la dimensione, che rendono la densit\`a di
 bit per unit\`a di area minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere
-pi\`u veloci delle DRAM.
+pi\`u veloci delle DRAM\@.
 
 % \subsection{Indirizzamento sequenziale, 1D e 2D}
-- 
cgit v1.2.1

