From e5cc2ae8302bca6f7c4b25df344a4f18d953bb7f Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Nao Pross Date: Wed, 1 Nov 2017 15:14:01 +0100 Subject: Starts essence of TecHWSW --- techwsw/tex/memorie.tex | 57 +++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++ 1 file changed, 57 insertions(+) create mode 100644 techwsw/tex/memorie.tex (limited to 'techwsw/tex') diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex new file mode 100644 index 0000000..eb0fa5c --- /dev/null +++ b/techwsw/tex/memorie.tex @@ -0,0 +1,57 @@ +\section{Le memorie} + +%\subsection{Cos'\`e una memoria} + +\subsection{Classificazione delle memorie} + +\subsection{Tipi di accesso alle memorie} + +\subsection{Memorie a sola lettura} +\subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})} + +La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di +dati $Y_0\dotso Y_{m-1}$ in corrispondenza ad una serie di ingressi $A_0\dotso +A_{n-1}$. Con $n$ bit in ingresso si possono avere fino a $2^n$ celle di +dimensione $m$ in uscita. +In questo tipo di memoria come implica il nomele informazioni vengono conservate +permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esso sono costituite +da un decodificatore ed un codificatore. + +%% TODO: schema intero rom + +\subsubsection{Programmable Read Only Memory ({\tt PROM})} + +\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})} +\subsection{Memorie a scrittura e lettura} +\subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})} + +In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una +qualsiasi locazione (della) \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e +il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo +costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$. + +%% doc: 01c memorie principali.pdf +\begin{figure}[h!] + \includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram} +\end{figure} + +Quando viene richiesta un' operazione di lettura con il segnale {\tt R}, +l'indirizzo comanda il multiplexer per passare sull'uscita il dato +contenuto alla locazione richiesta. Nell'operazione di scrittura il segnale {\tt +W} abilita la scrittura del dato presente in ingresso nella cella indicata +tramite il demultiplexer. + + La RAM pu\`o essere di tipo \emph{statico} o +\emph{dinamico}. Le {\tt SRAM} (static RAM) sono dei flip-flops, mentre le {\tt +DRAM} (dynamic RAM) sono dei microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al +condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico. + +% Nella pratica si utano sempre RAM dinamice per l'elevata capacitit\`a di +% integrazione e per i costi pi\`u bassi rispetto a quelle statiche. + +\paragraph{La RAM dinamica} avendo un comportamento elettrico tipico dei +condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione +contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della +circuiteria che esegue un \emph{refresh}. + +$$\cdot$$ -- cgit v1.2.1