From 74a8a77a03b0c0cbfd4206e534b18329aaef7c1f Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Nao Pross Date: Thu, 2 Nov 2017 22:13:15 +0100 Subject: Fix typos --- techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf | Bin 109127 -> 109142 bytes techwsw/tex/convertitori.tex | 20 ++++++++++---------- techwsw/tex/memorie.tex | 18 +++++++++--------- 3 files changed, 19 insertions(+), 19 deletions(-) (limited to 'techwsw') diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf index c426ee9..33b78d8 100644 Binary files a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf and b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf differ diff --git a/techwsw/tex/convertitori.tex b/techwsw/tex/convertitori.tex index 742d1f9..b53cf35 100644 --- a/techwsw/tex/convertitori.tex +++ b/techwsw/tex/convertitori.tex @@ -4,17 +4,17 @@ Il processo di digitalizzazione dei segnali analogici introduce il concetto di \emph{quantizzazione}. Infatti mentre un segnale analogico pu\`o assumere infiniti valori in un campo continuo la sua rappresentazione digitale pu\`o -assumere soltanto un numero finito di valori \emph{discreti}. -Gli infiniti valori del segnale analogico devono pertanto essere quantizzati -ovvero raggruppati in un certo numero di fasce delimitate da livelli fissi -detti \emph{livelli di quantizzazione}; a ciascuna fascia di valori analogici +assumere soltanto un numero finito di valori \emph{discreti}. Gli infiniti +valori del segnale analogico devono pertanto essere quantizzati ovvero +raggruppati in un certo numero di fasce delimitate da livelli fissi detti +\emph{livelli di quantizzazione}; a ciascuna fascia di valori analogici corrisponder\`a un valore digitale. La distanza fra due livelli di -quantizzazione continui costituisce il \emph{passo di quantizzazione} $Q$\footnote{Definito spesso anche come $LSB$}, a -cui corrisponde il valore del bit meno significativo. -$$ Q = \frac{V_{ref}}{2^n} \qquad FS = Q\cdot 2^n = V_{ref}$$ -Un dato digitale ad $n$ bit pu\`o esprimere $2^n$ valori; il valore digitale -$2^n$ viene pertanto associato al valore di fondo scala $FS$ o $FSR$ (Full -scale range) della grandezza analogica. +quantizzazione continui costituisce il \emph{passo di quantizzazione} +$Q$\footnote{Definito spesso anche come $LSB$}, a cui corrisponde il valore del +bit meno significativo. $$ Q = \frac{V_{ref}}{2^n} \qquad FS = Q\cdot 2^n = +V_{ref}$$ Un dato digitale ad $n$ bit pu\`o esprimere $2^n$ valori; il valore +digitale $2^n$ viene pertanto associato al valore di fondo scala $FS$ o $FSR$ +(Full scale range) della grandezza analogica. \paragraph{Risoluzione.} In un ADC i valori digitali in uscita non riproducono dunque fedelmente il segnale di ingresso ma ne danno una rappresentazione diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex index 8689e1b..36f98d8 100644 --- a/techwsw/tex/memorie.tex +++ b/techwsw/tex/memorie.tex @@ -49,11 +49,11 @@ $2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\ \subsection{Notazione} Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione. $$ words~count \times word~size$$ -In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits +In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti. Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene -indicata come memoria $2048\times 8$ bits. -\`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bits +indicata come memoria $2048\times 8$ bit. +\`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bit contenuti nella memoria. Sempre lo stesso esempio di una memoria da 2 KiB si indica quindi con $16384$ bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC corrisponde a $16 \cdot 1024 = 16384$). @@ -75,8 +75,8 @@ conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono Per ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende alcuni bit sull'uscita $Y$ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti -componenti, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive -brevemente le caratteristiche di ogniuna. +metodi, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive +brevemente le caratteristiche di ognuna. \begin{table}[H] \centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt @@ -100,7 +100,7 @@ EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & % \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})} \subsection{Random Access Memory ({\tt RAM})} -In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una +In una memoria ad accesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$. @@ -123,14 +123,14 @@ microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico. \paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico -tipico dei condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a +tipico dei condensatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della circuiteria che esegue un \emph{refresh}. \paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di -mantenere le informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia +mantenere le informazioni per un tempo indeterminato affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono il consumo -energetico (potenza dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di +energetico (potenza dissipata) e la dimensione, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM. -- cgit v1.2.1