From bb5df1b812c9e5d85e270fa56490e306383b77ac Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: Nao Pross Date: Wed, 1 Nov 2017 17:04:51 +0100 Subject: Add content for ROMs --- techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf | Bin 63972 -> 79282 bytes techwsw/essence_of_hwsw.tex | 5 +- techwsw/res/memorie/rom.pdf | Bin 6280 -> 14914 bytes techwsw/res/memorie/rom.svg | 743 ++++++++++++++++++++++++++++++++++++-- techwsw/tex/memorie.tex | 41 ++- 5 files changed, 752 insertions(+), 37 deletions(-) (limited to 'techwsw') diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf index b79ce0e..618f1a4 100644 Binary files a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf and b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf differ diff --git a/techwsw/essence_of_hwsw.tex b/techwsw/essence_of_hwsw.tex index 77634a5..17416ea 100644 --- a/techwsw/essence_of_hwsw.tex +++ b/techwsw/essence_of_hwsw.tex @@ -7,10 +7,13 @@ \usepackage{float} \usepackage{graphicx} +% tables +\usepackage{array} + % language \usepackage[italian]{babel} -\title{Hardware e Software} +\title{Essenza di Hardware e Software} \author{Naoki Pross} \begin{document} diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.pdf b/techwsw/res/memorie/rom.pdf index bb2939e..07cd818 100644 Binary files a/techwsw/res/memorie/rom.pdf and b/techwsw/res/memorie/rom.pdf differ diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.svg b/techwsw/res/memorie/rom.svg index 292dce7..bd1cf89 100644 --- a/techwsw/res/memorie/rom.svg +++ b/techwsw/res/memorie/rom.svg @@ -25,9 +25,9 @@ borderopacity="1.0" inkscape:pageopacity="0.0" inkscape:pageshadow="2" - inkscape:zoom="7.9195959" - inkscape:cx="12.489057" - inkscape:cy="21.675924" + inkscape:zoom="16" + inkscape:cx="128.55323" + inkscape:cy="34.383611" inkscape:document-units="mm" inkscape:current-layer="layer1" showgrid="true" @@ -37,7 +37,8 @@ inkscape:window-height="1020" inkscape:window-x="0" inkscape:window-y="32" - inkscape:window-maximized="1"> + inkscape:window-maximized="1" + inkscape:snap-text-baseline="false"> @@ -50,7 +51,7 @@ image/svg+xml - + @@ -61,29 +62,10 @@ - 2n·m + width="6.6970835" + height="11.82373" + x="0" + y="285.09375" /> + + + + + + + + + + + + + + + + + 2n·m + A0 + A1 + An-1 + ... + Y0 + Y1 + Ym-1 + ... + + + + + + + + + + A0 + A1 + An-1 + ... + Decodificatoredi riga + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + linee dei dati (bit lines) + linee di parola(word lines) + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Connessioni + + + + + + + + + + + + + + + + + Ym-1 + Y0 + Y1 + ... diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex index eb0fa5c..5049406 100644 --- a/techwsw/tex/memorie.tex +++ b/techwsw/tex/memorie.tex @@ -17,21 +17,45 @@ In questo tipo di memoria come implica il nomele informazioni vengono conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esso sono costituite da un decodificatore ed un codificatore. -%% TODO: schema intero rom +\begin{figure}[h!] + \centering + \includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/rom} +\end{figure} -\subsubsection{Programmable Read Only Memory ({\tt PROM})} +Ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende i bit sull'uscita $Y$ +in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole. +La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi +differenti tipi di ROM. + +\begin{table}[h!]\centering +{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt +\begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} } +\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\ +\hline +ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\ +PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre. + La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\ +EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile + cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\ +EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile + pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi + utilizzando dei segnali elettrici. +\end{tabular} +} +\end{table} \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})} \subsection{Memorie a scrittura e lettura} \subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})} In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una -qualsiasi locazione (della) \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e +qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$. %% doc: 01c memorie principali.pdf \begin{figure}[h!] + \centering \includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram} \end{figure} @@ -46,12 +70,13 @@ tramite il demultiplexer. DRAM} (dynamic RAM) sono dei microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico. -% Nella pratica si utano sempre RAM dinamice per l'elevata capacitit\`a di -% integrazione e per i costi pi\`u bassi rispetto a quelle statiche. - -\paragraph{La RAM dinamica} avendo un comportamento elettrico tipico dei +\paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico tipico dei condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della circuiteria che esegue un \emph{refresh}. -$$\cdot$$ +\paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di mantenere le +informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli +svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza +dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area +minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM. -- cgit v1.2.1