From f7c87ba971593bd9083ef621f29ae8eca024d6ec Mon Sep 17 00:00:00 2001
From: Nao Pross <naopross@thearcway.org>
Date: Wed, 1 Nov 2017 21:18:18 +0100
Subject: Corrections in Memory

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 techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf    | Bin 79282 -> 85113 bytes
 techwsw/res/memorie/rom.pdf          | Bin 14914 -> 14913 bytes
 techwsw/res/memorie/rom.svg          |  18 ++++-----
 techwsw/tex/memorie.tex              |  70 ++++++++++++++++++++++++++++++-----
 techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex |   5 ++-
 5 files changed, 72 insertions(+), 21 deletions(-)

(limited to 'techwsw')

diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
index 618f1a4..1e34a33 100644
Binary files a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf and b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf differ
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.pdf b/techwsw/res/memorie/rom.pdf
index 07cd818..d83593c 100644
Binary files a/techwsw/res/memorie/rom.pdf and b/techwsw/res/memorie/rom.pdf differ
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.svg b/techwsw/res/memorie/rom.svg
index bd1cf89..4e4a910 100644
--- a/techwsw/res/memorie/rom.svg
+++ b/techwsw/res/memorie/rom.svg
@@ -25,9 +25,9 @@
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@@ -549,12 +549,12 @@
        inkscape:connector-curvature="0" />
     <path
        style="fill:none;fill-rule:evenodd;stroke:#7b0000;stroke-width:0.1;stroke-linecap:butt;stroke-linejoin:miter;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1"
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     <path
        style="fill:none;fill-rule:evenodd;stroke:#7b0000;stroke-width:0.1;stroke-linecap:butt;stroke-linejoin:miter;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1"
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+       d="m 43.920833,298.5875 -0.529166,0.52916"
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        inkscape:connector-curvature="0" />
     <g
@@ -664,13 +664,13 @@
     <text
        xml:space="preserve"
        style="font-style:normal;font-variant:normal;font-weight:normal;font-stretch:normal;font-size:3.26319432px;line-height:1.25;font-family:'Latin Modern Roman';-inkscape-font-specification:'Latin Modern Roman, ';font-variant-ligatures:normal;font-variant-caps:normal;font-variant-numeric:normal;font-feature-settings:normal;text-align:start;letter-spacing:0px;word-spacing:0px;writing-mode:lr-tb;text-anchor:start;fill:#000000;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:0.26458332px;stroke-linecap:butt;stroke-linejoin:miter;stroke-opacity:1"
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        id="text8211"><tspan
          sodipodi:role="line"
          id="tspan8209"
-         x="46.235935"
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     <g
        transform="translate(33.444987,257.16673)"
diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 5049406..3cfa694 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -1,10 +1,58 @@
-\section{Le memorie}
+\section{Memorie}
 
-%\subsection{Cos'\`e una memoria}
+\subsection{Definizione di memoria}
+Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle 
+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo capitolo
+sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a semiconduttore}.
+In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da un livello di 
+tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza richiede un supporto
+fisico elettronico.
 
 \subsection{Classificazione delle memorie}
+Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
+\begin{itemize}
+	\item Mantenimento dell'informazione senza l'uso di alimentazione: \\
+		{\bf Volatili} o {\bf Non volatili}
+	\item Tempo di permanenza con l'alimentazione: \\
+		{\bf Statiche} o {\bf Dinamiche}
+	\item Modalit\`a di accesso: \\
+		{\bf Casuale} o {\bf Sequenziale} (o entrambe)
+\end{itemize}
+
+\subsection{Unit\`a di misura}
+In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le potenze
+di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k) $10^3$, 
+mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione europea 
+IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} = 1024^2$, gibi (Gi)
+$2^{30} = 1024^3$ ecc.
+
+Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la 
+commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Esso modifica il significato 
+dei simboli SI quando essi sono combinati con l'unit\`a Byte (B). 
+Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB = 1 GiB = $2^{30}$ ecc.
+
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.2}
+\begin{tabular}{ l l c l c }
+\hline
+Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\
+\hline
+$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
+$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
+$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
+\hline
+\end{tabular}}
+\caption{tablella riassuntiva delle unit\`a di misura.}
+\end{table}
+
+\subsection{Notazione}
+Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.
+$$ words~count \times word~size$$
+In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits 
+utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.
+Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 
+indicata come memoria $2048\times 8$ bits.
 
-\subsection{Tipi di accesso alle memorie}
 
 \subsection{Memorie a sola lettura}
 \subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
@@ -27,9 +75,10 @@ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole.
 La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi
 differenti tipi di ROM.
 
-\begin{table}[h!]\centering
-{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt
 \begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }
+\hline
 \rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\
 \hline
 ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
@@ -37,14 +86,15 @@ PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
 	La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
 EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 
 	cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
-EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile 
+EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile 
 	pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi
 	utilizzando dei segnali elettrici.
-\end{tabular}
-}
+\end{tabular}}
 \end{table}
 
-\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+% che diamine erano?
+% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+
 \subsection{Memorie a scrittura e lettura}
 \subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
 
@@ -79,4 +129,4 @@ circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
 informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli
 svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza
 dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area
-minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
+minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
\ No newline at end of file
diff --git a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
index 628d7d2..9d1c92c 100644
--- a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
+++ b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
@@ -4,7 +4,8 @@
 \subsection{Tipi di Bus seriali}
 
 \subsection{USART e RS232 / RS485}
-\subsection{I\textsuperscript{2}C}
-\subsection{USB}
+\subsection{Inter-Integrated Circuit (I\textsuperscript{2}C)}
+\subsection{Serial Peripheral Interface Bus (SPI)}
+\subsection{Universal Serial Bus (USB)}
 
 \subsection{Trasmissione parallela (non seriale)}
\ No newline at end of file
-- 
cgit v1.2.1