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| -rw-r--r-- | buch/papers/kreismembran/teil4.tex | 2 |
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diff --git a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex index 0b6299e..d6aa54f 100644 --- a/buch/papers/kreismembran/teil4.tex +++ b/buch/papers/kreismembran/teil4.tex @@ -93,7 +93,7 @@ Der Folgezustand kann also mit den Gleichungen \label{kreismembran:eq:folge_V} V[w+1] &= (V[w] + dt \cdot \Delta_h u \cdot c^2)\odot M \end{align} -berechnet werden. Das Symbol $\cdot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt) +berechnet werden. Das Symbol $\odot$ steht hier für eine elementweise Matrixmultiplikation (Hadamard-Produkt) \subsubsection{Simulation} Mit den gegebenen Gleichungen \eqref{kreismembran:eq:folge_U} und \eqref{kreismembran:eq:folge_V} das Verhalten der Membran mit einem Loop über das zu untersuchende Zeitintervall berechnet werden. In der Abbildung \ref{kreismembran:im:simres_rund} sind Simulationsresultate zu sehen. |