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path: root/techwsw/tex/memorie.tex
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authorNao Pross <naopross@thearcway.org>2017-11-01 23:52:47 +0100
committerNao Pross <naopross@thearcway.org>2017-11-01 23:52:47 +0100
commit4e44d207b7a5163b2affd7ef876ad5e35df9aed7 (patch)
tree7ac30fd78cdd0009307786909426204bc279effc /techwsw/tex/memorie.tex
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Essence-4e44d207b7a5163b2affd7ef876ad5e35df9aed7.zip
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Diffstat (limited to 'techwsw/tex/memorie.tex')
-rw-r--r--techwsw/tex/memorie.tex3
1 files changed, 2 insertions, 1 deletions
diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 3cfa694..9723e07 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -88,7 +88,8 @@ EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile
cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi
- utilizzando dei segnali elettrici.
+ utilizzando dei segnali elettrici. \\
+\hline
\end{tabular}}
\end{table}