Add content for ROMs

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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index eb0fa5c..5049406 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -17,21 +17,45 @@ In questo tipo di memoria come implica il nomele informazioni vengono conservate
 permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esso sono costituite

 da un decodificatore ed un codificatore.

 

-%% TODO: schema intero rom

+\begin{figure}[h!]

+	\centering

+	\includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/rom}

+\end{figure}

 

-\subsubsection{Programmable Read Only Memory ({\tt PROM})}

+Ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende i bit sull'uscita $Y$

+in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole.

+La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi

+differenti tipi di ROM.

+

+\begin{table}[h!]\centering

+{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt

+\begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }

+\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\

+\hline

+ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\

+PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.

+	La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\

+EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 

+	cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\

+EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile 

+	pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi

+	utilizzando dei segnali elettrici.

+\end{tabular}

+}

+\end{table}

 

 \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}

 \subsection{Memorie a scrittura e lettura}

 \subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}

 

 In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una

-qualsiasi locazione (della) \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e

+qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e

 il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo

 costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.

 

 %% doc: 01c memorie principali.pdf

 \begin{figure}[h!]

+	\centering

 	\includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram}

 \end{figure}

 

@@ -46,12 +70,13 @@ tramite il demultiplexer.
 DRAM} (dynamic RAM) sono dei microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al

 condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico.

 

-% Nella pratica si utano sempre RAM dinamice per l'elevata capacitit\`a di 

-% integrazione e per i costi pi\`u bassi rispetto a quelle statiche.

-

-\paragraph{La RAM dinamica} avendo un comportamento elettrico tipico dei 

+\paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico tipico dei 

 condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione

 contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della 

 circuiteria che esegue un \emph{refresh}.

 

-$$\cdot$$

+\paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di mantenere le

+informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli

+svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza

+dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area

+minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.