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\section{Le memorie}
%\subsection{Cos'\`e una memoria}
\subsection{Classificazione delle memorie}
\subsection{Tipi di accesso alle memorie}
\subsection{Memorie a sola lettura}
\subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di
dati $Y_0\dotso Y_{m-1}$ in corrispondenza ad una serie di ingressi $A_0\dotso
A_{n-1}$. Con $n$ bit in ingresso si possono avere fino a $2^n$ celle di
dimensione $m$ in uscita.
In questo tipo di memoria come implica il nomele informazioni vengono conservate
permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esso sono costituite
da un decodificatore ed un codificatore.
\begin{figure}[h!]
\centering
\includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/rom}
\end{figure}
Ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende i bit sull'uscita $Y$
in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole.
La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi
differenti tipi di ROM.
\begin{table}[h!]\centering
{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt
\begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }
\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\
\hline
ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile
cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi
utilizzando dei segnali elettrici.
\end{tabular}
}
\end{table}
\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
\subsection{Memorie a scrittura e lettura}
\subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una
qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e
il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo
costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.
%% doc: 01c memorie principali.pdf
\begin{figure}[h!]
\centering
\includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram}
\end{figure}
Quando viene richiesta un' operazione di lettura con il segnale {\tt R},
l'indirizzo comanda il multiplexer per passare sull'uscita il dato
contenuto alla locazione richiesta. Nell'operazione di scrittura il segnale {\tt
W} abilita la scrittura del dato presente in ingresso nella cella indicata
tramite il demultiplexer.
La RAM pu\`o essere di tipo \emph{statico} o
\emph{dinamico}. Le {\tt SRAM} (static RAM) sono dei flip-flops, mentre le {\tt
DRAM} (dynamic RAM) sono dei microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al
condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico.
\paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico tipico dei
condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione
contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della
circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
\paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di mantenere le
informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli
svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza
dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area
minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
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