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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex.bak b/techwsw/tex/memorie.tex.bak
new file mode 100644
index 0000000..b45243e
--- /dev/null
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex.bak
@@ -0,0 +1,149 @@
+\section{Memorie a semiconduttore}
+
+\subsection{Definizione di memoria}
+Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle
+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD\@. In questo
+capitolo sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a
+semiconduttore}. In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da
+un livello di tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza
+richiede un supporto fisico elettronico.
+
+\subsection{Classificazione delle memorie}
+Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
+\begin{itemize}
+    \item Mantenimento dell'informazione senza l'uso di alimentazione: \\
+        {\bf Volatili} o {\bf Non volatili}
+    \item Tempo di permanenza con l'alimentazione: \\
+        {\bf Statiche} o {\bf Dinamiche}
+    \item Modalit\`a di accesso: \\
+        {\bf Casuale} o {\bf Sequenziale} (o entrambe)
+\end{itemize}
+
+\subsection{Unit\`a di misura}
+In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le
+potenze di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k)
+\(10^3\), mega (M) \(10^6\), giga (G) \(10^9\) sono stati aggiunti dalla commissione
+europea IEC i prefissi kibi (Ki) \(2^{10} = 1024^1\), mebi (Mi) \(2^{20} =
+1024^2\), gibi (Gi) \(2^{30} = 1024^3\) ecc.
+
+Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la
+commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Lo standard americano
+modifica il significato dei simboli SI quando sono combinati con l'unit\`a Byte
+(B). Quindi 1 KB = 1 KiB = \(2^{10}\) Bytes, 1 MB = 1 MiB = \(2^{20}\) Bytes, 1 GB
+= 1 GiB = \(2^{30}\) ecc.
+
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.2}
+\begin{tabular}{ l l c l c }
+\toprule
+Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\
+\midrule
+\(2^{10} = 1024^1\) & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
+\(2^{20} = 1024^2\) & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
+\(2^{30} = 1024^3\) & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
+\bottomrule
+\end{tabular}}
+\caption{Riassunto delle unit\`a di misura}
+\end{table}
+
+\subsection{Notazione}
+Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.
+\[ words~count \times word~size \]
+In cui \(word~size\) indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit
+utilizzato in uscita, mentre \(words~count\) indica il numero di parole presenti.
+Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 
+indicata come memoria \(2048\times 8\) bit.
+\`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bit
+contenuti nella memoria. Sempre lo stesso esempio di una memoria da 2 KiB 
+si indica quindi con \(16384\) bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 
+corrisponde a \(16 \cdot 1024 = 16384\)).
+
+\subsection{Conversione Decimale \(\leftrightarrow{}\) Esadecimale}
+Per rappresentare graficamente le regioni di indirizzabili occupare da una
+memoria si utilizza spesso dei diagrammi che rappresentano l'\emph{address
+space}.
+% TODO
+
+\subsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
+La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di
+dati \(Y_0\dotso Y_{m-1}\) in corrispondenza ad una serie di ingressi \(A_0\dotso
+A_{n-1}\). Con \(n\) bit in ingresso si possono avere fino a \(2^n\) celle di
+dimensione \(m\) in uscita.
+In questo tipo di memoria come implica il nome le informazioni vengono
+conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono
+`bruciate' fisicamente nel circuito.
+
+\begin{figure}[H]
+    \centering
+    \includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/rom}
+    \caption{Funzionamento di una ROM}
+\end{figure}
+
+Per ogni indirizzo in \(A\) corrisponde una riga che accende alcuni bit
+sull'uscita \(Y\) in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le
+linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti
+metodi, creando quindi differenti tipi di ROM\@. La seguente tabella descrive
+brevemente le caratteristiche di ognuna.
+
+\begin{table}[H]
+\centering {
+\def\arraystretch{1.4}\tabcolsep=6pt
+\begin{tabular}{>{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth}}
+\toprule
+\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\
+\midrule
+ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
+PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
+    La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
+EPROM o UVPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 
+    cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
+EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & 
+    Programmabile pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi
+    millisecondi utilizzando dei segnali elettrici. \\
+FLASH & & Si controlla il gate di un tipo di transistor CMOS, che resta
+            bloccato nella posizione anche in assenza di alimentazione. \\
+\bottomrule
+\end{tabular}}
+\end{table}
+
+% che diamine erano?
+% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+
+\subsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
+In una memoria ad accesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una
+qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e
+il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo
+costante detto \emph{tempo di accesso} \(t_a\).
+
+%% doc: 01c memorie principali.pdf
+% TODO: check
+\begin{figure}[H]
+    \centering
+    \includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram}
+    \caption{Metodo per accedere al contenuto di una memoria ad acesso casuale}
+\end{figure}
+
+Quando viene richiesta un' operazione di lettura con il segnale {\tt R},
+l'indirizzo comanda il multiplexer per passare sull'uscita il dato contenuto
+alla locazione richiesta. Nell'operazione di scrittura il segnale {\tt W}
+abilita la scrittura del dato presente in ingresso nella cella indicata tramite
+il demultiplexer.
+
+La RAM pu\`o essere di tipo \emph{statico} o \emph{dinamico}. Le {\tt SRAM}
+(static RAM) sono dei flip-flops, mentre le {\tt DRAM} (dynamic RAM) sono dei
+microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al condensatore carico e 0
+corrisponde al condensatore scarico.
+
+\paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico
+tipico dei condensatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a
+perdere l'informazione contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate
+regolarmente con della circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
+
+\paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di
+mantenere le informazioni per un tempo indeterminato affinch\`e ci sia
+l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono il consumo
+energetico (potenza dissipata) e la dimensione, che rendono la densit\`a di
+bit per unit\`a di area minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere
+pi\`u veloci delle DRAM\@.
+
+% \subsection{Indirizzamento sequenziale, 1D e 2D}