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| -rw-r--r-- | techwsw/tex/memorie.tex | 70 | ||||
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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex index 5049406..3cfa694 100644 --- a/techwsw/tex/memorie.tex +++ b/techwsw/tex/memorie.tex @@ -1,10 +1,58 @@ -\section{Le memorie}
+\section{Memorie}
-%\subsection{Cos'\`e una memoria}
+\subsection{Definizione di memoria}
+Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle
+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo capitolo
+sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a semiconduttore}.
+In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da un livello di
+tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza richiede un supporto
+fisico elettronico.
\subsection{Classificazione delle memorie}
+Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
+\begin{itemize}
+ \item Mantenimento dell'informazione senza l'uso di alimentazione: \\
+ {\bf Volatili} o {\bf Non volatili}
+ \item Tempo di permanenza con l'alimentazione: \\
+ {\bf Statiche} o {\bf Dinamiche}
+ \item Modalit\`a di accesso: \\
+ {\bf Casuale} o {\bf Sequenziale} (o entrambe)
+\end{itemize}
+
+\subsection{Unit\`a di misura}
+In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le potenze
+di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k) $10^3$,
+mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione europea
+IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} = 1024^2$, gibi (Gi)
+$2^{30} = 1024^3$ ecc.
+
+Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la
+commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Esso modifica il significato
+dei simboli SI quando essi sono combinati con l'unit\`a Byte (B).
+Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB = 1 GiB = $2^{30}$ ecc.
+
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.2}
+\begin{tabular}{ l l c l c }
+\hline
+Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\
+\hline
+$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
+$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
+$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
+\hline
+\end{tabular}}
+\caption{tablella riassuntiva delle unit\`a di misura.}
+\end{table}
+
+\subsection{Notazione}
+Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.
+$$ words~count \times word~size$$
+In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits
+utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.
+Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene
+indicata come memoria $2048\times 8$ bits.
-\subsection{Tipi di accesso alle memorie}
\subsection{Memorie a sola lettura}
\subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
@@ -27,9 +75,10 @@ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi
differenti tipi di ROM.
-\begin{table}[h!]\centering
-{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt
\begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }
+\hline
\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\
\hline
ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
@@ -37,14 +86,15 @@ PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre. La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile
cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
-EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
+EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi
utilizzando dei segnali elettrici.
-\end{tabular}
-}
+\end{tabular}}
\end{table}
-\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+% che diamine erano?
+% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+
\subsection{Memorie a scrittura e lettura}
\subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
@@ -79,4 +129,4 @@ circuiteria che esegue un \emph{refresh}. informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli
svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza
dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area
-minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
+minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
\ No newline at end of file diff --git a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex index 628d7d2..9d1c92c 100644 --- a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex +++ b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex @@ -4,7 +4,8 @@ \subsection{Tipi di Bus seriali} \subsection{USART e RS232 / RS485} -\subsection{I\textsuperscript{2}C} -\subsection{USB} +\subsection{Inter-Integrated Circuit (I\textsuperscript{2}C)} +\subsection{Serial Peripheral Interface Bus (SPI)} +\subsection{Universal Serial Bus (USB)} \subsection{Trasmissione parallela (non seriale)}
\ No newline at end of file |