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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
new file mode 100644
index 0000000..eb0fa5c
--- /dev/null
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -0,0 +1,57 @@
+\section{Le memorie}
+
+%\subsection{Cos'\`e una memoria}
+
+\subsection{Classificazione delle memorie}
+
+\subsection{Tipi di accesso alle memorie}
+
+\subsection{Memorie a sola lettura}
+\subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
+
+La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di
+dati $Y_0\dotso Y_{m-1}$ in corrispondenza ad una serie di ingressi $A_0\dotso
+A_{n-1}$. Con $n$ bit in ingresso si possono avere fino a $2^n$ celle di
+dimensione $m$ in uscita.
+In questo tipo di memoria come implica il nomele informazioni vengono conservate
+permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esso sono costituite
+da un decodificatore ed un codificatore.
+
+%% TODO: schema intero rom
+
+\subsubsection{Programmable Read Only Memory ({\tt PROM})}
+
+\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+\subsection{Memorie a scrittura e lettura}
+\subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
+
+In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una
+qualsiasi locazione (della) \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e
+il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo
+costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.
+
+%% doc: 01c memorie principali.pdf
+\begin{figure}[h!]
+	\includegraphics[width=\textwidth]{res/memorie/ram}
+\end{figure}
+
+Quando viene richiesta un' operazione di lettura con il segnale {\tt R},
+l'indirizzo comanda il multiplexer per passare sull'uscita il dato
+contenuto alla locazione richiesta. Nell'operazione di scrittura il segnale {\tt
+W} abilita la scrittura del dato presente in ingresso nella cella indicata
+tramite il demultiplexer. 
+
+ La RAM pu\`o essere di tipo \emph{statico} o
+\emph{dinamico}. Le {\tt SRAM} (static RAM) sono dei flip-flops, mentre le {\tt
+DRAM} (dynamic RAM) sono dei microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al
+condensatore carico e 0 corrisponde al condensatore scarico.
+
+% Nella pratica si utano sempre RAM dinamice per l'elevata capacitit\`a di 
+% integrazione e per i costi pi\`u bassi rispetto a quelle statiche.
+
+\paragraph{La RAM dinamica} avendo un comportamento elettrico tipico dei 
+condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a perdere l'informazione
+contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate regolarmente con della 
+circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
+
+$$\cdot$$