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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 375daa7..a9db737 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -1,8 +1,10 @@
-\section{Memorie}

+%!TEX root = essence_of_hwsw.tex

+

+\section{Memorie a semiconduttore}

 

 \subsection{Definizione di memoria}

 Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle

-informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo

+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD\@. In questo

 capitolo sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a

 semiconduttore}. In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da

 un livello di tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza

@@ -22,15 +24,15 @@ Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
 \subsection{Unit\`a di misura}

 In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le

 potenze di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k)

-$10^3$, mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione

-europea IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} =

-1024^2$, gibi (Gi) $2^{30} = 1024^3$ ecc.

+\(10^3\), mega (M) \(10^6\), giga (G) \(10^9\) sono stati aggiunti dalla commissione

+europea IEC i prefissi kibi (Ki) \(2^{10} = 1024^1\), mebi (Mi) \(2^{20} =

+1024^2\), gibi (Gi) \(2^{30} = 1024^3\) ecc.

 

 Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la

 commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Lo standard americano

 modifica il significato dei simboli SI quando sono combinati con l'unit\`a Byte

-(B). Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB

-= 1 GiB = $2^{30}$ ecc.

+(B). Quindi 1 KB = 1 KiB = \(2^{10}\) Bytes, 1 MB = 1 MiB = \(2^{20}\) Bytes, 1 GB

+= 1 GiB = \(2^{30}\) ecc.

 

 \begin{table}[H]

 \centering {\def\arraystretch{1.2}

@@ -38,9 +40,9 @@ modifica il significato dei simboli SI quando sono combinati con l'unit\`a Byte
 \toprule

 Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\

 \midrule

-$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\

-$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\

-$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\

+\(2^{10} = 1024^1\) & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\

+\(2^{20} = 1024^2\) & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\

+\(2^{30} = 1024^3\) & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\

 \bottomrule

 \end{tabular}}

 \caption{Riassunto delle unit\`a di misura}

@@ -48,21 +50,36 @@ $2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
 

 \subsection{Notazione}

 Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.

-$$ words~count \times word~size$$

-In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit

-utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.

+\[ words~count \times word~size \]

+In cui \(word~size\) indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit

+utilizzato in uscita, mentre \(words~count\) indica il numero di parole presenti.

 Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 

-indicata come memoria $2048\times 8$ bit.

+indicata come memoria \(2048\times 8\) bit.

 \`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bit

 contenuti nella memoria. Sempre lo stesso esempio di una memoria da 2 KiB 

-si indica quindi con $16384$ bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 

-corrisponde a $16 \cdot 1024 = 16384$).

+si indica quindi con \(16384\) bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 

+corrisponde a \(16 \cdot 1024 = 16384\)).

+

+\subsection{Conversione Decimale \(\leftrightarrow{}\) Esadecimale}

+Per rappresentare graficamente le regioni di indirizzabili occupare da una

+memoria si utilizza spesso dei diagrammi che rappresentano l'\emph{address

+space}. Nell'address space per\`o normalmente si indica gli indirizzi in base

+16 azich\`e 10, perci\`o \`e necessario convertire le grandezze di una memoria

+indicate in base decimale in esadecimale.

+

+Consideriamo quindi un esempio di una memoria di 4 KiB all'indirizzo {\tt

+2000h} di un address space a 16 bit. Per determinare quanto spazio

+nell'address space viene occupato si deve trovare il numero di bits e poi

+convertirlo in esadecimale.

+\[

+4~{\rm KiB} = 4 \cdot 1024 \cdot 8 ~{\rm bit} = 16384 ~{\rm bit} = 4000 {\rm h}

+\]

 

 \subsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}

 La memoria ROM \`e un circuito combinatorio che fornisce in uscita una serie di

-dati $Y_0\dotso Y_{m-1}$ in corrispondenza ad una serie di ingressi $A_0\dotso

-A_{n-1}$. Con $n$ bit in ingresso si possono avere fino a $2^n$ celle di

-dimensione $m$ in uscita.

+dati \(Y_0\dotso Y_{m-1}\) in corrispondenza ad una serie di ingressi \(A_0\dotso

+A_{n-1}\). Con \(n\) bit in ingresso si possono avere fino a \(2^n\) celle di

+dimensione \(m\) in uscita.

 In questo tipo di memoria come implica il nome le informazioni vengono

 conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono

 `bruciate' fisicamente nel circuito.

@@ -73,10 +90,10 @@ conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono
     \caption{Funzionamento di una ROM}

 \end{figure}

 

-Per ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende alcuni bit

-sull'uscita $Y$ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le

+Per ogni indirizzo in \(A\) corrisponde una riga che accende alcuni bit

+sull'uscita \(Y\) in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le

 linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti

-metodi, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive

+metodi, creando quindi differenti tipi di ROM\@. La seguente tabella descrive

 brevemente le caratteristiche di ognuna.

 

 \begin{table}[H]

@@ -89,11 +106,13 @@ brevemente le caratteristiche di ognuna.
 ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\

 PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.

     La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\

-EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 

+EPROM o UVPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 

     cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\

 EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & 

     Programmabile pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi

     millisecondi utilizzando dei segnali elettrici. \\

+FLASH & & Si controlla il gate di un tipo di transistor CMOS, che resta

+            bloccato nella posizione anche in assenza di alimentazione. \\

 \bottomrule

 \end{tabular}}

 \end{table}

@@ -105,7 +124,7 @@ EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM &
 In una memoria ad accesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una

 qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e

 il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo

-costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.

+costante detto \emph{tempo di accesso} \(t_a\).

 

 %% doc: 01c memorie principali.pdf

 % TODO: check

@@ -136,6 +155,6 @@ mantenere le informazioni per un tempo indeterminato affinch\`e ci sia
 l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono il consumo

 energetico (potenza dissipata) e la dimensione, che rendono la densit\`a di

 bit per unit\`a di area minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere

-pi\`u veloci delle DRAM.

+pi\`u veloci delle DRAM\@.

 

 % \subsection{Indirizzamento sequenziale, 1D e 2D}