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diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
index c426ee9..33b78d8 100644
--- a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
+++ b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
diff --git a/techwsw/tex/convertitori.tex b/techwsw/tex/convertitori.tex
index 742d1f9..b53cf35 100644
--- a/techwsw/tex/convertitori.tex
+++ b/techwsw/tex/convertitori.tex
@@ -4,17 +4,17 @@
 Il processo di digitalizzazione dei segnali analogici introduce il concetto di
 \emph{quantizzazione}. Infatti mentre un segnale analogico pu\`o assumere
 infiniti valori in un campo continuo la sua rappresentazione digitale pu\`o
-assumere soltanto un numero finito di valori \emph{discreti}.
-Gli infiniti valori del segnale analogico devono pertanto essere quantizzati
-ovvero raggruppati in un certo numero di fasce delimitate da livelli fissi
-detti \emph{livelli di quantizzazione}; a ciascuna fascia di valori analogici
+assumere soltanto un numero finito di valori \emph{discreti}. Gli infiniti
+valori del segnale analogico devono pertanto essere quantizzati ovvero
+raggruppati in un certo numero di fasce delimitate da livelli fissi detti
+\emph{livelli di quantizzazione}; a ciascuna fascia di valori analogici
 corrisponder\`a un valore digitale. La distanza fra due livelli di
-quantizzazione continui costituisce il \emph{passo di quantizzazione} $Q$\footnote{Definito spesso anche come $LSB$}, a
-cui corrisponde il valore del bit meno significativo.
-$$ Q = \frac{V_{ref}}{2^n} \qquad FS = Q\cdot 2^n = V_{ref}$$
-Un dato digitale ad $n$ bit pu\`o esprimere $2^n$ valori; il valore digitale
-$2^n$ viene pertanto associato al valore di fondo scala $FS$ o $FSR$ (Full
-scale range) della grandezza analogica.
+quantizzazione continui costituisce il \emph{passo di quantizzazione}
+$Q$\footnote{Definito spesso anche come $LSB$}, a cui corrisponde il valore del
+bit meno significativo. $$ Q = \frac{V_{ref}}{2^n} \qquad FS = Q\cdot 2^n =
+V_{ref}$$ Un dato digitale ad $n$ bit pu\`o esprimere $2^n$ valori; il valore
+digitale $2^n$ viene pertanto associato al valore di fondo scala $FS$ o $FSR$
+(Full scale range) della grandezza analogica.
 
 \paragraph{Risoluzione.} In un ADC i valori digitali in uscita non riproducono
 dunque fedelmente il segnale di ingresso ma ne danno una rappresentazione
diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 8689e1b..36f98d8 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -49,11 +49,11 @@ $2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
 \subsection{Notazione}

 Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.

 $$ words~count \times word~size$$

-In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits 

+In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bit

 utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.

 Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 

-indicata come memoria $2048\times 8$ bits.

-\`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bits

+indicata come memoria $2048\times 8$ bit.

+\`E anche possibile indicare la dimensione con il numero di bit

 contenuti nella memoria. Sempre lo stesso esempio di una memoria da 2 KiB 

 si indica quindi con $16384$ bits oppure 16 K (che con lo standard JEDEC 

 corrisponde a $16 \cdot 1024 = 16384$).

@@ -75,8 +75,8 @@ conservate permanentemente nella configurazione del circuito, siccome esse sono
 Per ogni indirizzo in $A$ corrisponde una riga che accende alcuni bit

 sull'uscita $Y$ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le

 linee delle parole. La connessione pu\`o essere costruita con differenti

-componenti, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive

-brevemente le caratteristiche di ogniuna.

+metodi, creando quindi differenti tipi di ROM. La seguente tabella descrive

+brevemente le caratteristiche di ognuna.

 

 \begin{table}[H]

 \centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt

@@ -100,7 +100,7 @@ EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM &
 % \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}

 

 \subsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}

-In una memoeria ad acesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una

+In una memoria ad accesso casuale, o memoria RAM (Random Access Memory), una

 qualsiasi locazione \`e individuata da un numero (indirizzo o address) e

 il suo contenuto pu\`o essere letto o modificato in un intervallo di tempo

 costante detto \emph{tempo di accesso} $t_a$.

@@ -123,14 +123,14 @@ microcondensatori C-MOS nei quali 1 corrisponde al condensatore carico e 0
 corrisponde al condensatore scarico.

 

 \paragraph{La RAM dinamica ({\tt DRAM})} avendo un comportamento elettrico

-tipico dei condenstatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a

+tipico dei condensatori, essa \`e soggetta alla scarica, cio\`e tende a

 perdere l'informazione contenuta, perci\`o necessitano di essere ricaricate

 regolarmente con della circuiteria che esegue un \emph{refresh}.

 

 \paragraph{La RAM statica ({\tt SRAM})} essendo un FF, \`e in grado di

-mantenere le informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia

+mantenere le informazioni per un tempo indeterminato affinch\`e ci sia

 l'alimentazione. Gli svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono il consumo

-energetico (potenza dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di

+energetico (potenza dissipata) e la dimensione, che rendono la densit\`a di

 bit per unit\`a di area minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere

 pi\`u veloci delle DRAM.