Corrections in Memory

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diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
index 618f1a4..1e34a33 100644
--- a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
+++ b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.pdf b/techwsw/res/memorie/rom.pdf
index 07cd818..d83593c 100644
--- a/techwsw/res/memorie/rom.pdf
+++ b/techwsw/res/memorie/rom.pdf
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.svg b/techwsw/res/memorie/rom.svg
index bd1cf89..4e4a910 100644
--- a/techwsw/res/memorie/rom.svg
+++ b/techwsw/res/memorie/rom.svg
@@ -25,9 +25,9 @@
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@@ -549,12 +549,12 @@
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@@ -664,13 +664,13 @@
     <text
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     <g
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diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 5049406..3cfa694 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -1,10 +1,58 @@
-\section{Le memorie}

+\section{Memorie}

 

-%\subsection{Cos'\`e una memoria}

+\subsection{Definizione di memoria}

+Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle 

+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo capitolo

+sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a semiconduttore}.

+In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da un livello di 

+tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza richiede un supporto

+fisico elettronico.

 

 \subsection{Classificazione delle memorie}

+Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali

+\begin{itemize}

+	\item Mantenimento dell'informazione senza l'uso di alimentazione: \\

+		{\bf Volatili} o {\bf Non volatili}

+	\item Tempo di permanenza con l'alimentazione: \\

+		{\bf Statiche} o {\bf Dinamiche}

+	\item Modalit\`a di accesso: \\

+		{\bf Casuale} o {\bf Sequenziale} (o entrambe)

+\end{itemize}

+

+\subsection{Unit\`a di misura}

+In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le potenze

+di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k) $10^3$, 

+mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione europea 

+IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} = 1024^2$, gibi (Gi)

+$2^{30} = 1024^3$ ecc.

+

+Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la 

+commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Esso modifica il significato 

+dei simboli SI quando essi sono combinati con l'unit\`a Byte (B). 

+Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB = 1 GiB = $2^{30}$ ecc.

+

+\begin{table}[H]

+\centering {\def\arraystretch{1.2}

+\begin{tabular}{ l l c l c }

+\hline

+Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\

+\hline

+$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\

+$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\

+$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\

+\hline

+\end{tabular}}

+\caption{tablella riassuntiva delle unit\`a di misura.}

+\end{table}

+

+\subsection{Notazione}

+Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.

+$$ words~count \times word~size$$

+In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits 

+utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.

+Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene 

+indicata come memoria $2048\times 8$ bits.

 

-\subsection{Tipi di accesso alle memorie}

 

 \subsection{Memorie a sola lettura}

 \subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}

@@ -27,9 +75,10 @@ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole.
 La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi

 differenti tipi di ROM.

 

-\begin{table}[h!]\centering

-{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt

+\begin{table}[H]

+\centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt

 \begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }

+\hline

 \rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\

 \hline

 ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\

@@ -37,14 +86,15 @@ PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
 	La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\

 EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile 

 	cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\

-EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile 

+EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile 

 	pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi

 	utilizzando dei segnali elettrici.

-\end{tabular}

-}

+\end{tabular}}

 \end{table}

 

-\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}

+% che diamine erano?

+% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}

+

 \subsection{Memorie a scrittura e lettura}

 \subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}

 

@@ -79,4 +129,4 @@ circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
 informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli

 svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza

 dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area

-minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.

+minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
\ No newline at end of file
diff --git a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
index 628d7d2..9d1c92c 100644
--- a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
+++ b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
@@ -4,7 +4,8 @@
 \subsection{Tipi di Bus seriali}
 
 \subsection{USART e RS232 / RS485}
-\subsection{I\textsuperscript{2}C}
-\subsection{USB}
+\subsection{Inter-Integrated Circuit (I\textsuperscript{2}C)}
+\subsection{Serial Peripheral Interface Bus (SPI)}
+\subsection{Universal Serial Bus (USB)}
 
 \subsection{Trasmissione parallela (non seriale)}
\ No newline at end of file