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path: root/techwsw
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authorNao Pross <naopross@thearcway.org>2017-11-01 21:18:18 +0100
committerNao Pross <naopross@thearcway.org>2017-11-01 21:18:18 +0100
commitf7c87ba971593bd9083ef621f29ae8eca024d6ec (patch)
tree81b9a56914395b7aec69e490c24be475d333d1cb /techwsw
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Essence-f7c87ba971593bd9083ef621f29ae8eca024d6ec.zip
Corrections in Memory
Diffstat (limited to 'techwsw')
-rw-r--r--techwsw/build/essence_of_hwsw.pdfbin79282 -> 85113 bytes
-rw-r--r--techwsw/res/memorie/rom.pdfbin14914 -> 14913 bytes
-rw-r--r--techwsw/res/memorie/rom.svg18
-rw-r--r--techwsw/tex/memorie.tex70
-rw-r--r--techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex5
5 files changed, 72 insertions, 21 deletions
diff --git a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
index 618f1a4..1e34a33 100644
--- a/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
+++ b/techwsw/build/essence_of_hwsw.pdf
Binary files differ
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.pdf b/techwsw/res/memorie/rom.pdf
index 07cd818..d83593c 100644
--- a/techwsw/res/memorie/rom.pdf
+++ b/techwsw/res/memorie/rom.pdf
Binary files differ
diff --git a/techwsw/res/memorie/rom.svg b/techwsw/res/memorie/rom.svg
index bd1cf89..4e4a910 100644
--- a/techwsw/res/memorie/rom.svg
+++ b/techwsw/res/memorie/rom.svg
@@ -25,9 +25,9 @@
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- inkscape:zoom="16"
- inkscape:cx="128.55323"
- inkscape:cy="34.383611"
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@@ -549,12 +549,12 @@
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<path
style="fill:none;fill-rule:evenodd;stroke:#7b0000;stroke-width:0.1;stroke-linecap:butt;stroke-linejoin:miter;stroke-miterlimit:4;stroke-dasharray:none;stroke-opacity:1"
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<path
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- d="m 45.243749,298.85209 -0.529166,0.52916"
+ d="m 43.920833,298.5875 -0.529166,0.52916"
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<g
@@ -664,13 +664,13 @@
<text
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style="font-style:normal;font-variant:normal;font-weight:normal;font-stretch:normal;font-size:3.26319432px;line-height:1.25;font-family:'Latin Modern Roman';-inkscape-font-specification:'Latin Modern Roman, ';font-variant-ligatures:normal;font-variant-caps:normal;font-variant-numeric:normal;font-feature-settings:normal;text-align:start;letter-spacing:0px;word-spacing:0px;writing-mode:lr-tb;text-anchor:start;fill:#000000;fill-opacity:1;stroke:none;stroke-width:0.26458332px;stroke-linecap:butt;stroke-linejoin:miter;stroke-opacity:1"
- x="46.235935"
- y="299.64581"
+ x="44.383854"
+ y="299.38123"
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sodipodi:role="line"
id="tspan8209"
- x="46.235935"
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+ x="44.383854"
+ y="299.38123"
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<g
transform="translate(33.444987,257.16673)"
diff --git a/techwsw/tex/memorie.tex b/techwsw/tex/memorie.tex
index 5049406..3cfa694 100644
--- a/techwsw/tex/memorie.tex
+++ b/techwsw/tex/memorie.tex
@@ -1,10 +1,58 @@
-\section{Le memorie}
+\section{Memorie}
-%\subsection{Cos'\`e una memoria}
+\subsection{Definizione di memoria}
+Una memoria pu\`o essere definita come un sistema in grado di conservare delle
+informazioni come per esempio un Hard-Disk, un libro o un DVD. In questo capitolo
+sono analizzate solamente alcuni tipi di memoire dette \emph{memorie a semiconduttore}.
+In queste forme di memoria l'informazione \`e rappresentata da un livello di
+tensione (per esempio lo standard TTL) che come conseguenza richiede un supporto
+fisico elettronico.
\subsection{Classificazione delle memorie}
+Le memorie digitali possono essere classificate in base a vari criteri quali
+\begin{itemize}
+ \item Mantenimento dell'informazione senza l'uso di alimentazione: \\
+ {\bf Volatili} o {\bf Non volatili}
+ \item Tempo di permanenza con l'alimentazione: \\
+ {\bf Statiche} o {\bf Dinamiche}
+ \item Modalit\`a di accesso: \\
+ {\bf Casuale} o {\bf Sequenziale} (o entrambe)
+\end{itemize}
+
+\subsection{Unit\`a di misura}
+In informatica in molti casi sono pi\`u importanti le potenze di 2 che le potenze
+di 10. Perci\`o oltre ai prefissi del sistema internazionale kilo (k) $10^3$,
+mega (M) $10^6$, giga (G) $10^9$ sono stati aggiunti dalla commissione europea
+IEC i prefissi kibi (Ki) $2^{10} = 1024^1$, mebi (Mi) $2^{20} = 1024^2$, gibi (Gi)
+$2^{30} = 1024^3$ ecc.
+
+Naturalmente per\`o non essendo uno standard internazionale negli USA la
+commissione JEDEC utilizza un sistema differente. Esso modifica il significato
+dei simboli SI quando essi sono combinati con l'unit\`a Byte (B).
+Quindi 1 KB = 1 KiB = $2^{10}$ Bytes, 1 MB = 1 MiB = $2^{20}$ Bytes, 1 GB = 1 GiB = $2^{30}$ ecc.
+
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.2}
+\begin{tabular}{ l l c l c }
+\hline
+Valore & Nome IEC & Simbolo IEC & Nome JEDEC & Simbolo JEDEC \\
+\hline
+$2^{10} = 1024^1$ & KibiByte & KiB & KiloByte & KB \\
+$2^{20} = 1024^2$ & MebiByte & MiB & MegaByte & MB \\
+$2^{30} = 1024^3$ & GibiByte & GiB & GigaByte & GB \\
+\hline
+\end{tabular}}
+\caption{tablella riassuntiva delle unit\`a di misura.}
+\end{table}
+
+\subsection{Notazione}
+Le memorie vengono normalmente indicate con la seguente notazione.
+$$ words~count \times word~size$$
+In cui $word~size$ indica la dimensione della parola, ovvero il numero di bits
+utilizzato in uscita, mentre $words~count$ indica il numero di parole presenti.
+Per esempio una memoria da 2 KiB (o 2KB secondo la notazione JEDEC) viene
+indicata come memoria $2048\times 8$ bits.
-\subsection{Tipi di accesso alle memorie}
\subsection{Memorie a sola lettura}
\subsubsection{Read Only Memory ({\tt ROM})}
@@ -27,9 +75,10 @@ in base alle connessioni presenti tra le linee dei dati e le linee delle parole.
La connessione pu\`o essere costruita con differenti componenti, creando quindi
differenti tipi di ROM.
-\begin{table}[h!]\centering
-{\def\arraystretch{2}\tabcolsep=6pt
+\begin{table}[H]
+\centering {\def\arraystretch{1.5}\tabcolsep=6pt
\begin{tabular}{ >{\ttfamily}p{.12\textwidth} p{.28\textwidth} p{.5\textwidth} }
+\hline
\rmfamily Acronimo & Nome & Caratteristica \\
\hline
ROM & Read Only Memory & Programmata in fabbrica \\
@@ -37,14 +86,15 @@ PROM & Programmable ROM & Programmabile dall'utente una volta sola, per sempre.
La programmazione avviene bruciando dei fusibili. \\
EPROM & Erasable PROM & Programmabile pi\`u volte dall'utente. \`E possibile
cancellare il contenuto esponendo il chip ai raggi UV per 15 - 20 min. \\
-EEPROM o E\textsuperscript{2}ROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
+EEPROM o E\textsuperscript{2}PROM & Electronically Erasable PROM & Programmabile
pi\`u volte dall'utente, la memoria viene riscritta in pochi millisecondi
utilizzando dei segnali elettrici.
-\end{tabular}
-}
+\end{tabular}}
\end{table}
-\subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+% che diamine erano?
+% \subsection{Memorie non volatili ({\tt NVRWM})}
+
\subsection{Memorie a scrittura e lettura}
\subsubsection{Random Access Memory ({\tt RAM})}
@@ -79,4 +129,4 @@ circuiteria che esegue un \emph{refresh}.
informazioni per un tempo indeterminao affinch\`e ci sia l'alimentazione. Gli
svantaggi delle SRAM rispetto alle DRAM sono dal consumo energetico (potenza
dissipata) e la dimensisone, che rendono la densit\`a di bit per unit\`a di area
-minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM.
+minore. Come vantaggio invece le SRAM tendono ad essere pi\`u veloci delle DRAM. \ No newline at end of file
diff --git a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
index 628d7d2..9d1c92c 100644
--- a/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
+++ b/techwsw/tex/trasmissione_seriale.tex
@@ -4,7 +4,8 @@
\subsection{Tipi di Bus seriali}
\subsection{USART e RS232 / RS485}
-\subsection{I\textsuperscript{2}C}
-\subsection{USB}
+\subsection{Inter-Integrated Circuit (I\textsuperscript{2}C)}
+\subsection{Serial Peripheral Interface Bus (SPI)}
+\subsection{Universal Serial Bus (USB)}
\subsection{Trasmissione parallela (non seriale)} \ No newline at end of file